一种基于DES和RSA算法的混合密码系统

本文介绍了一种基于DES算法和RSA算法的混合密码系统,结合了两者的优点,并克服其缺点。     

强脉冲离子束在金属中引起的应力波效应

金属在强脉冲离子束辐照及其后的快速冷却过程中所经历的应力过程是强脉冲离子束金属材料改性的最重要的机制之一。对应于这种过程 ,金属材料的微观结构和微硬度发生了改变。本文以 4 5 #钢和纯铝为样品将实验中测量到的不同强度的强脉冲辐照后样品微硬度和微观结构的变化与热力学计算所描述的热力学过程相对照 ,解释了出现微硬度双峰是由于应力波的形成和传播使然 ,并预言了由于应力波的在样品背面的反射 ,在较强能通量的强脉冲离子束辐照下 ,样品背表面一定深度处也会出现微硬度增加的现象 ,该现象已被实验所证实。     

阴极爆炸发射电子电离气体原初过程的动力学模拟

基于阴极爆炸发射电子和电子对气体的碰撞电离模型 ,用胞中粒子 (PIC)模拟方法对单间隙冷阴极气体放电过程中阴极爆炸发射产生的电子和电子碰撞电离产生质子的动力学特性进行了研究。分别给出了在 1.33× 10 - 2 Pa氢气压和 10kV间隙电压下 ,气体放电过程中电子和质子的空间和相空间分布、速度统计分布以及轴线上电荷密度分布 ,分析了阴极爆炸发射电子电离过程。模拟结果表明 ,间隙中电子的最大速度达 5 .8× 10 7m/s ,而只有少数的气体电离产生的质子最大速度达到 1.3× 10 6 m/s。     

我国石油区域发展问题研究

本文从现代区域经济理论出发，考察了我国石油区域的发展历史与现状，探讨了我国石油区域发展的新途径。     

单壁碳纳米管的制备及生长特性研究

采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响     

用FEM/FIM研究单壁碳纳米管束

利用范氏力将单壁碳纳米管样品组装到钨针尖上 ,用FEM/FIM对同一碳纳米管样品用热处理方法和场脱附方法进行了研究。场离子显微镜是具有原子级分辨能力的尖端表面分析工具 ,由场离子像推测这次组装的样品是由三根单壁碳纳米管突起组成的碳纳米管束。清洁碳纳米管束样品的场发射像和场离子像有极好的对应关系。场脱附后的碳纳米管束的场发射特性较好地符合Fowler Nordheim场发射模型。通过比较碳纳米管束吸附态和热处理后以及场脱附后的Fowler Nordheim曲线的斜率变化 ,得出碳纳米管束样品逸出功的变化 ,再结合场发射像的变化推断出场脱附与热处理结合是一种较理想的获得清洁碳纳米管表面的方法     

Turbo码概率-代数联合解码算法

Turbo码采用修正的BAHL et al.算法实现解码.这是一种基于软值的概率迭代解码算法.本文在保持Turbo码迭代软解码算法优点的基础上,充分利用Turbo码编码器结构这一确知条件,结合代数解码原理,提出了一种Turbo码概率-代数联合解码算法.该算法结合了概率解码和代数解码的优点,又有效避免了误差传播的发生,使Turbo码的纠错性能在原经典算法的基础上得到进一步的提高.该算法不仅为降低Turbo码的比特误码率和误差地板值提供了一种新的研究途径,而且因其更好的纠错性能而具有十分明显的实用价值.仿真实验结果显示,在比特误码率(BER)为10^-3~10^-4时,与经典Turbo码解码算法相比,采用该算法能获得0.1dB左右的编码增益.     

超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析

提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析.     

非均匀材料破坏过程数值模拟的边界元法研究

用格子模型和统计分布模拟非均匀材料性质的初始分布,针对二维非均匀材料格子模型建立了重复多子域边界元法求解方程。通过把各行子域集成为亚子域,然后对链状排列的亚子域应用域转移矩阵法进行求解。由于使用的域转移矩阵法对内存的要求仅略大于一个亚子域的求解,以及重复多子域法只需要进行一次系数矩阵积分,因而可以大大提高求解的规模和效率。在此基础上,对非均匀脆性材料在简单载荷作用下的破坏过程进行了数值模拟。采用重复多子域法和域转移矩阵法,可以得到子域内高精度的连续应力分布,为进一步研究非均匀材料裂纹萌生、扩展和破坏过程提供了基础。     

负电子微分迁移率场效应管的二维数值分析

本文对于新型的负电子微分迁移率场效应管内部的电位、沿沟道方向的电场以及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值模拟,结果表明通过适当选取器件尺寸、掺杂分布以及偏置电压,沿沟道方向可以产生一个处于负电子微分迁移率范围之内的均匀电场,使沟道具有负RC效应而不出现高场畴.